BZX84C9V1-FDITR

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BZX84C9V1-FDITR 技术参数

BZX84C9V1ET3G 功能描述:Zener Diode 9.1V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 BZX84C9V1ET3 功能描述:Zener Diode 9.1V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 BZX84C9V1-E3-18 功能描述:Zener Diode 9.1V 300mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BZX84C9V1-E3-08 功能描述:Zener Diode 9.1V 300mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BZX84C9V1-7-F 功能描述:Zener Diode 9.1V 350mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BZX84C9V1S-7 BZX84C9V1S-7-F BZX84C9V1T-7-F BZX84C9V1-TP BZX84C9V1TS-7-F BZX84C9V1W-7 BZX84C9V1W-7-F BZX84C9V1W-TP BZX84J-B10,115 BZX84J-B11,115 BZX84J-B12,115 BZX84J-B13,115 BZX84J-B15,115 BZX84J-B16,115 BZX84J-B18,115 BZX84J-B20,115 BZX84J-B22,115 BZX84J-B24,115