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BZX84CV3

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BZX84CV3 技术参数
  • BZX84C9V1W-TP 功能描述:Zener Diode 9.1V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C9V1W-7-F 功能描述:Zener Diode 9.1V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C9V1W-7 功能描述:Zener Diode 9.1V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C9V1TS-7-F 功能描述:Zener Diode Array 3 Independent 9.1V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 配置:3 个独立式 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 BZX84C9V1-TP 功能描述:Zener Diode 9.1V 350mW ±6% Surface Mount SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84J-B24,115 BZX84J-B27,115 BZX84J-B2V4,115 BZX84J-B2V7,115 BZX84J-B30,115 BZX84J-B33,115 BZX84J-B36,115 BZX84J-B39,115 BZX84J-B3V0,115 BZX84J-B3V3,115 BZX84J-B3V6,115 BZX84J-B3V9,115 BZX84J-B43,115 BZX84J-B43/DG/B3,1 BZX84J-B47,115 BZX84J-B4V3,115 BZX84J-B4V7,115 BZX84J-B51,115
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