BZX85B24RLRL

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BZX85B24RLRL 技术参数

BZX85B22-TR 功能描述:Zener Diode 22V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B22-TAP 功能描述:Zener Diode 22V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B20-TR 功能描述:Zener Diode 20V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:24 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B20-TAP 功能描述:Zener Diode 20V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:24 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B18-TR 功能描述:Zener Diode 18V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B33-TR BZX85B36-TAP BZX85B36-TR BZX85B39-TAP BZX85B39-TR BZX85B3V0-TAP BZX85B3V0-TR BZX85B3V3-TAP BZX85B3V3-TR BZX85B3V6-TAP BZX85B3V6-TR BZX85B3V9-TAP BZX85B3V9-TR BZX85B43-TAP BZX85B43-TR BZX85B47-TAP BZX85B47-TR BZX85B4V3-TAP