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BZX85C11_T50R

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功能描述
稳压二极管 11V 1W Zener
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZX85C11_T50R 技术参数

BZX85C11_T50A 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:3,000 BZX85C11 R0G 功能描述:DIODE ZENER 11V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 BZX85C11 A0G 功能描述:DIODE ZENER 11V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:3,000 BZX85C11 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1,000 BZX85C10-TR 功能描述:Zener Diode 10V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C13 BZX85C13 A0G BZX85C13 R0G BZX85C13_T50R BZX85C13-TAP BZX85C13-TR BZX85C15 BZX85C15 A0G BZX85C15 R0G BZX85C15_T50A BZX85C15_T50R BZX85C15-T50A BZX85C15-T50R BZX85C15-TAP BZX85C15-TR BZX85C16 BZX85C16 A0G BZX85C16 R0G