BZX85C180-TAP

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BZX85C180-TAP 技术参数

BZX85C18_T50R 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 BZX85C18_T50A 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 BZX85C18_S62Z 功能描述:DIODE ZENER 1W 18V 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17.95V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,000 BZX85C18 R0G 功能描述:DIODE ZENER 18V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 BZX85C18 A0G 功能描述:DIODE ZENER 18V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:3,000 BZX85-C200 BZX85C20-TAP BZX85C20-TR BZX85C22 BZX85C22 A0G BZX85C22 R0G BZX85C22_T50A BZX85C22_T50R BZX85C22-TAP BZX85C22-TR BZX85C24 BZX85C24 A0G BZX85C24 R0G BZX85C24_T50A BZX85C24_T50R BZX85C24-T50R BZX85C24-TAP BZX85C24-TR