BZX85C18TR5K

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制造商
Fairchild Semiconductor Corporation
功能描述

BZX85C18TR5K 技术参数

BZX85C18-TR 功能描述:Zener Diode 18V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C18-TAP 功能描述:Zener Diode 18V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C18-T50R 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 基本零件编号:BZX85C18 标准包装:1 BZX85C18-T50A 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 基本零件编号:BZX85C18 标准包装:1 BZX85C18_T50R 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 BZX85C22 A0G BZX85C22 R0G BZX85C22_T50A BZX85C22_T50R BZX85C22-TAP BZX85C22-TR BZX85C24 BZX85C24 A0G BZX85C24 R0G BZX85C24_T50A BZX85C24_T50R BZX85C24-T50R BZX85C24-TAP BZX85C24-TR BZX85C27 A0G BZX85C27 R0G BZX85C27_T50A BZX85C27_T50R