BZX85C56TA2

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BZX85C56TA2 技术参数

BZX85C56_T50R 功能描述:Zener Diode 56V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:120 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:6,000 BZX85C56_T50A 功能描述:Zener Diode 56V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:120 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:3,000 BZX85C56 R0G 功能描述:DIODE ZENER 56V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:120 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 BZX85C56 A0G 功能描述:DIODE ZENER 56V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:120 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:3,000 BZX85C56 功能描述:Zener Diode 56V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:120 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1,000 BZX85C5V1-TR BZX85C5V6 BZX85C5V6 A0G BZX85C5V6 R0G BZX85C5V6_T50A BZX85C5V6_T50R BZX85C5V6-T50R BZX85C5V6-TAP BZX85C5V6-TR BZX85C62-TAP BZX85C62-TR BZX85C68-TAP BZX85C68-TR BZX85C6V2 BZX85C6V2 A0G BZX85C6V2 R0G BZX85C6V2_T50A BZX85C6V2_T50R