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BZX85C5V1TR

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    BZX85C5V1TR5K

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  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

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BZX85C5V1TR 技术参数
  • BZX85C5V1-TAP 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C5V1-T50A 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 基本零件编号:BZX85C5V1 标准包装:1 BZX85C5V1_T50R 功能描述:Zener Diode 5.1V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:6,000 BZX85C5V1_T50A 功能描述:Zener Diode 5.1V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 BZX85C5V1 R0G 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:5,000 BZX85C62-TAP BZX85C62-TR BZX85C68-TAP BZX85C68-TR BZX85C6V2 BZX85C6V2 A0G BZX85C6V2 R0G BZX85C6V2_T50A BZX85C6V2_T50R BZX85C6V2-T50A BZX85C6V2-TAP BZX85C6V2-TR BZX85C6V8 BZX85C6V8 A0G BZX85C6V8 R0G BZX85C6V8_T50A BZX85C6V8_T50R BZX85C6V8-TAP
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