BZX85C6V2RLTA

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BZX85C6V2RLTA 技术参数

BZX85C6V2_T50R 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:6,000 BZX85C6V2_T50A 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 BZX85C6V2 R0G 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 BZX85C6V2 A0G 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:3,000 BZX85C6V2 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1,000 BZX85C6V8-TR BZX85C75-TAP BZX85C75-TR BZX85C7V5 BZX85C7V5 A0G BZX85C7V5 R0G BZX85C7V5_T50R BZX85C7V5-TAP BZX85C7V5-TR BZX85C82-TAP BZX85C82-TR BZX85C8V2 BZX85C8V2 A0G BZX85C8V2 R0G BZX85C8V2_T50A BZX85C8V2_T50R BZX85C8V2-TAP BZX85C8V2-TR