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BZY55B36 RYG

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功能描述
稳压二极管 Zener 500mW 2% 36v
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZY55B36 RYG 技术参数

BZY55B33 RYG 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 24V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B30 RYG 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B2V7 RYG 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B2V4 RYG 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B27 RYG 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 20V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B6V8 RYG BZY55B7V5 RYG BZY55B8V2 RYG BZY55B9V1 RYG BZY55C10 RYG BZY55C11 RYG BZY55C12 RYG BZY55C13 RYG BZY55C15 RYG BZY55C16 RYG BZY55C18 RYG BZY55C20 RYG BZY55C22 RYG BZY55C24 RYG BZY55C27 RYG BZY55C2V4 RYG BZY55C2V7 RYG BZY55C30 RYG