BFU725F/N1

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制造商
PHILIPS
制造商全称
NXP Semiconductors
功能描述
NPN wideband silicon germanium RF transistor

BFU725F/N1 技术参数

BFU725F,115 功能描述:RF Transistor NPN 2.8V 40mA 70GHz 136mW Surface Mount 4-DFP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.8V 频率 - 跃迁:70GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz 增益:10dB ~ 24dB 功率 - 最大值:136mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 标准包装:3,000 BFU710F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.8V 频率 - 跃迁:43GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz 增益:- 功率 - 最大值:136mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 标准包装:1 BFU690F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5V 频率 - 跃迁:18GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz 增益:15.5dB ~ 18.5dB 功率 - 最大值:230mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 标准包装:1 BFU668F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F 制造商:nxp usa inc. 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:在售安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:SOT-343F 标准包装:1 BFU660F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:12dB ~ 21dB 功率 - 最大值:225mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 标准包装:1 BFV10-6L BFV10-6Q BFV10-8L BFV10-8Q BFV14-10C BFV14-10L BFV14-10Q BFV14-6C BFV14-6L BFV14-6Q BFV14-8C BFV14-8L BFV14-8Q BFV18-10C BFV18-10L BFV18-10Q BFV18-6C BFV18-6L