配单专家企业名单

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说明
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BSH205G2R
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
3000
NEXPERIA
SMD
19+
-
进口原装公司现货库存

BSH205G2R
深圳市盛芯世纪科技有限公司
深圳市盛芯世纪科技有限公司
联系人：杨先生，www.dz-ic.cn
电话：0755-8397991513312996395
地址：深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F
资质：营业执照
500
NEXPERIA
NEXPERIA
21+
-
原装正品www.dz-ic.cn

BSH205G2
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
60000
NEXPERIA/安世
SOT23
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

BSH205G2
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
9300
nxp
tel83167716
一期3c025a
-
原装现货

BSH205G2
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP/恩智浦
SOT23
22+
-
原装正品专业BOM配单

BSH205G2
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
17278
NXP(恩智浦)
22+
-
全新原装现货

BSH205G2R
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Nexperia
22+
-
原装正品

BSH205G2
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
46700
NEXPERIA/安世
SMD
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

BSH205G2R
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
NEXPERIA
主营优势
1819
-
100%原装正品★终端免费供样★

BSH205G2R
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
3000
NEX
ORIGONAL
16+
-
0.05664 USD,szpoweri...

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BSH205G2 技术参数

BSH205,215 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:750mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:680mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BSH203,215 功能描述:MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:470mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:680mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:110pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:417mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 280mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSH202,215 功能描述:MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:520mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:80pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:417mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 280mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSH201,215 功能描述:MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:70pF @ 48V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:417mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 160mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSH18-Q 功能描述:CONN SPLICE 18-22 AWG CRIMP 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装零件状态:在售端子类型:对接接头，直插式，单独开口进线数:2 端接:压接线规:18-22 AWG 绝缘:完全绝缘热缩件特性:- 颜色:红色标准包装:25 BSK18-M BSL202SNH6327XTSA1 BSL202SNL6327HTSA1 BSL205NH6327XTSA1 BSL205NL6327HTSA1 BSL207NH6327XTSA1 BSL207NL6327HTSA1 BSL207SP BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPL6327HTSA1 BSL211SP BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPL6327HTSA1 BSL211SPT BSL214NH6327XTSA1 BSL214NL6327HTSA1 BSL215CH6327XTSA1 BSL215CL6327HTSA1

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