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BSO613SPV

配单专家企业名单
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  • 封装
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  • 说明
  • 操作
  • BSO613SPVG
    BSO613SPVG

    BSO613SPVG

  • 深圳市杰世特电子有限公司
    深圳市杰世特电子有限公司

    联系人：林S

    电话：18927460633

    地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535

  • 0

  • 21+

  • 4707

  • TSSOP20

  • -

  • 进口原装现货 支持实单价优

  • BSO613SPVG
    BSO613SPVG

    BSO613SPVG

  • 深圳市贸盛微电子有限公司
    深圳市贸盛微电子有限公司

    联系人：周先生

    电话：0755-8220875218127068687

    地址：深圳市罗湖区嘉宾路友谊大厦五栋3楼G

    资质：营业执照

  • 2500

  • Infineon

  • 10+

  • -

  • 专业经销，原装正品

  • BSO613SPV G MOSFET或IGBT开关IC
    BSO613SPV G MOSFET或IGBT开关IC

    BSO613SPV G MOSFET或IGBT开关IC

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人：吴小姐

    电话：13612858787

    地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • INFINEON/英飞凌

  • SOP-8

  • 21+原装

  • -

  • 庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

  • BSO613SPV
    BSO613SPV

    BSO613SPV

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-837892031333298700517727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • INFINEON

  • 原厂原装

  • 18+

  • -

  • 原装正品，优势供应

  • BSO613SPV
    BSO613SPV

    BSO613SPV

  • 深圳市十德盛科技有限公司
    深圳市十德盛科技有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-8271907113336545634

    地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09

    资质：营业执照

  • 1695

  • Infineon(英飞凌)

  • 22+

  • -

  • 全新原装现货

  • BSO613SPV G
    BSO613SPV G

    BSO613SPV G

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人：李瑞兵

    电话：18897698645

    地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

  • -

  • 原装正品

  • BSO613SPV
    BSO613SPV

    BSO613SPV

  • 深圳市正永电子有限公司
    深圳市正永电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-23930354

    地址：中航路都会轩3607

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-DSO-8

  • 19+

  • -

  • 代理直销！进口原装正品！

  • BSO613SPVGHUMA1
    BSO613SPVGHUMA1

    BSO613SPVGHUMA1

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 2500

  • INFINEON APAC (CHINA)

  • 主营优势

  • 19+

  • -

  • 100%原装正品★终端免费供样★

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  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 60V 3.44A DSO-8
  • RoHS
  • 否
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • SIPMOS®
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
BSO613SPV 技术参数
  • BSO612CVGHUMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO612CV 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO604NS2XUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO4822T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 12.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 55μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26.2nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1640pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 BSO4822 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 12.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 55μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26.2nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1640pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135 BSP129E6327
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