BUL903ED

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功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BUL903ED 技术参数

BUL89 功能描述:TRANS NPN 400V 12A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:5V @ 2.4A，12A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 功率 - 最大值:110W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BU-L8-375TIN 功能描述:LUG 8 AWG 3/8" STUD TIN 制造商:mueller electric co 系列:- 包装:散装零件状态:在售端子类型:圆形，管状螺柱/凸片尺寸:3/8 接线柱厚度:0.055"（1.40mm）宽度 - 外边缘:0.560"（14.22mm）长度 - 总:1.330"（33.78mm）安装类型:自由悬挂端接:压接线规:8 AWG 绝缘:非绝缘特性:- 颜色:- 触头材料:铜触头镀层:锡绝缘层直径:- 材料 - 绝缘:- 标准包装:1 BUL810 功能描述:TRANS NPN 450V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:5V @ 2.4A，12A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 功率 - 最大值:125W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 BUL805 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUL804 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:70W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BULD128DT4 BULD741-1 BULD741T4 BULD742CT4 BULK128 BULK128D-B BULT106D BULT118 BULT118M BULT3P3 BUNDS-KT-3LE00 BUNDS-KT-3PE00 BUNDS-KT-4LE00 BUNDS-KT-4PE00 BU-P1081-12-0 BU-P1081-12-2 BU-P1081-24-0 BU-P1081-24-2