BUV26G

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功能描述
两极晶体管 - BJT 20A 90V 85W NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BUV26G 技术参数

BUV26 功能描述:TRANS NPN 90V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:90V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1.2A，12A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:85W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUV22G 功能描述:TRANS NPN 250V 40A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 2.5A，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:250W 频率 - 跃迁:8MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AE 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 BUV22 功能描述:TRANS NPN 250V 40A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 2.5A，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:250W 频率 - 跃迁:8MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AE 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 BUV21G 功能描述:TRANS NPN 200V 40A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 电压 - 集射极击穿（最大值）:200V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 3A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 12A，2V 功率 - 最大值:250W 频率 - 跃迁:8MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AE 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 BUV20 功能描述:TRANS NPN 125V 50A TO-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 电压 - 集射极击穿（最大值）:125V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 5A，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 25A，2V 功率 - 最大值:250W 频率 - 跃迁:8MHz 安装类型:底座安装封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:20 BU-X15400-2 BUX348 BUX48 BUX48A BUX84-S BUX85 BUX85G BUX87 BUX98A BUX98APW BUXD87T4 BUY69A BUZ10 BUZ11_NR4941 BUZ11_R4941 BUZ11-NR4941 BUZ30A BUZ30A E3045A