BZW50-39

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功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 39V Unidirect
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
极性
Bidirectional
工作电压
击穿电压
58.9 V
钳位电压
77.4 V
峰值浪涌电流
38.8 A
系列
封装 / 箱体
DO-214AB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C

BZW50-39 技术参数

BZW50-33RL 功能描述:TVS DIODE 33VWM 76VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:76V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:789A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:5750pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-33BRL 功能描述:TVS DIODE 33VWM 76VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:76V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:789A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:2875pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-33B 功能描述:TVS DIODE 33VWM 76VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:76V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:789A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:2875pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-33 功能描述:TVS DIODE 33VWM 76VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:管件零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:76V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:789A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:5750pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:100 BZW50-27RL 功能描述:TVS DIODE 27VWM 62VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:27V 电压 - 击穿（最小值）:30V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:62V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:968A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:7000pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-82B BZW50-82RL BZX100A,115 BZX284-B10,115 BZX284-B11,115 BZX284-B12,115 BZX284-B13,115 BZX284-B15,115 BZX284-B16,115 BZX284-B18,115 BZX284-B20,115 BZX284-B22,115 BZX284-B24,115 BZX284-B27,115 BZX284-B2V4,115 BZX284-B2V7,115 BZX284-B30,115 BZX284-B33,115