参数资料
型号: B82432T1332K
厂商: EPCOS Inc
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: INDUCTOR 3.3UH 900MA 1812 10%
产品目录绘图: B824(2,3)2(C,T) Series Side
B824(2,3)2(C,T) Series End
标准包装: 1
系列: SIMID
电感: 3.3µH
电流: 900mA
类型: 铁氧体芯体
容差: ±10%
屏蔽: 无屏蔽
DC 电阻(DCR): 最大 190 毫欧
Q因子@频率: 10 @ 7.96MHz
频率 - 自谐振: 50MHz
材料 - 芯体: 铁氧体鼓形芯
封装/外壳: 1812(4532 公制)
安装类型: 表面贴装
包装: 标准包装
频率 - 测试: 7.96MHz
产品目录页面: 1784 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 495-1760-6
SMT inductors, SIMID series
SIMID 1812-T
Impedance |Z| versus frequency f
measured with impedance analyzer Agilent
E4991A, typical values at +20 °C
B82432T
Inductance L versus DC load current I DC
measured with LCR meter Agilent 4285A,
typical values at +20 °C
10 6
Ω
IND0084-2
B82432T
10 4
μH
B82432T
IND0086-L
| Z |
10 5
10 4
10 3
10 2
1000 μH
100 μH
L
10 3
10 2
10 1
10 0
1000 μH
100 μH
10 μH
1 μH
10 μH
1 μH
10 1 6
10
10
7
10
8
Hz 10
9
10
_ 1
10
_ 2
10
_ 1
10 0
A 10 1
f
Q factor versus frequency f
measured with impedance analyzer Agilent
E4991A, typical values at +20 °C
Current derating I op /I R
versus ambient temperature T A
(rated temperature T R = +85 °C)
I DC
Q
80
B82432T
IND0085-5
I op
I R
1.2
1.0
B82432T
IND0087-U-E
60
0.8
40
20
1 μH
0.6
0.4
10 μH
100 μH
1000 μH
0.2
0 4
10
10 5
10 6
10 7
Hz 10 8
0
0
20
40
60
80 100 120
C 160
f
6
10/12
T A
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