BCR5AS-12A-T13#B00
库存数量:3,000
制造商:Renesas Electronics America
描述:TRIAC 600V 5A MP-3A
RoHS:无铅 / 符合
PDF下载:
价格行情(美元)
价格 单价 总价
3,000 0.47600 1,428.00
6,000 0.45220 2,713.20
15,000 0.43350 6,502.50
30,000 0.42160 12,648.00
75,000 0.40800 30,600.00
相关资料
产品分类 分离式半导体产品 >> 三端双向可控硅开关 描述 TRIAC 600V 5A MP-3A
标准包装 3,000 系列 -
三端双向可控硅开关类型 标准
电压 - 断路 600V
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大) 5A
电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大) 1.5V
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm) 50A @ 60Hz
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大) 30mA
电流 - 维持(Ih) -
配置 单一
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 MP-3A
包装 带卷 (TR)
其它名称 BCR5AS-12A-T13#B00-ND
BCR5AS-12A-T13#B00TR
BCR5AS-12A-T13#B00 同类产品
型号 IPL60R299CP 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 三端双向可控硅开关
制造商 Infineon Technologies 描述 MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
标准包装 3,000 系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 299 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3.5V @ 440µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1100pF @ 100V
功率 - 最大 96W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 4-TSFN 裸露焊盘
供应商设备封装 PG-VSON-4
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPL60R299CP-ND
IPL60R299CPAUMA1
SP000841896
型号 935132424533 数量 1,000
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 三端双向可控硅开关
制造商 IPDiA 描述 CAP SIL HTSC 0402 33NF 400UFM
标准包装 1,000 系列 HTSC
电容 0.033µF
电压 - 击穿 11V
容差 ±15%
ESR(等效串联电阻) 400 毫欧
ESL (Equivalent Series Inductance) 100pH
应用 高温
工作温度 -55°C ~ 200°C
其它名称 1210-1037-2
型号 BTA08-600BW3G 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 三端双向可控硅开关
制造商 ON Semiconductor 描述 TRIAC ISO 8A 600V TO220AB
视频文件 Solid State Relays with TRIACS vs. Electro-Mechanical Relays For Three Phase Motor Control
标准包装 50
系列 - 三端双向可控硅开关类型 标准
电压 - 断路 600V
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大) 8A
电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大) 1.1V
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm) 90A @ 60Hz
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大) 50mA
电流 - 维持(Ih) 60mA
配置 单一
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
型号 935131424547 数量 1,080
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 三端双向可控硅开关
制造商 IPDiA 描述 CAP SIL HSSC 0402 47NF 400UFM
标准包装 1 系列 HSSC
电容 0.047µF
电压 - 击穿 11V
容差 ±15%
ESR(等效串联电阻) 400 毫欧
ESL (Equivalent Series Inductance) 100pH
应用 高稳定性
工作温度 -55°C ~ 150°C
其它名称 1210-1027-6
型号 F65224101 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 三端双向可控硅开关
制造商 Honeywell Sensing and Control 描述 POS TRANS-XDCR LFT 24IN 5K/1.0%
标准包装 1 系列 *
型号 935131424547 数量 1,080
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 三端双向可控硅开关
制造商 IPDiA 描述 CAP SIL HSSC 0402 47NF 400UFM
标准包装 1 系列 HSSC
电容 0.047µF
电压 - 击穿 11V
容差 ±15%
ESR(等效串联电阻) 400 毫欧
ESL (Equivalent Series Inductance) 100pH
应用 高稳定性
工作温度 -55°C ~ 150°C
其它名称 1210-1027-1
型号 MAC97A8,412 数量 9,402
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 三端双向可控硅开关
制造商 NXP Semiconductors 描述 TRIAC LOGIC 600V .6A TO-92
产品目录绘图 Triac TO-92 Side
Triac TO-92 Pin Out
标准包装 1,000
系列 - 三端双向可控硅开关类型 逻辑 - 灵敏栅极
电压 - 断路 600V
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大) 600mA
电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大) 2V
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm) 8A,8.8A
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大) 5mA
电流 - 维持(Ih) 10mA
配置 单一
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装 TO-92-3
包装 散装
产品目录页面 1514 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 568-3745
934056668412
型号 IPB180N04S4-H0 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 三端双向可控硅开关
制造商 Infineon Technologies 描述 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
标准包装 1,000 系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 180A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 1.1 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 180µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 225nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 17940pF @ 25V
功率 - 最大 250W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装 PG-TO263-7-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPB180N04S4H0ATMA1
SP000711248
型号 BCR3AS-12A-T13#B00 数量 5,867
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 三端双向可控硅开关
制造商 Renesas Electronics America 描述 TRIAC 600V 3A MP-3A
标准包装 1 系列 -
三端双向可控硅开关类型 标准
电压 - 断路 600V
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大) 3A
电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大) 1.5V
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm) 30A @ 60Hz
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大) 15mA
电流 - 维持(Ih) -
配置 单一
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 MP-3A
包装 标准包装
其它名称 BCR3AS-12A-T13#B00DKR
型号 IPI60R299CP 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 三端双向可控硅开关
制造商 Infineon Technologies 描述 MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装 500
系列 CoolMOS™ FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 299 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3.5V @ 440µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1100pF @ 100V
功率 - 最大 96W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装 PG-TO262-3
包装 管件
其它名称 IPI60R299CPAKSA1
IPI60R299CPX
IPI60R299CPXK
IPI60R299CPXKSA1
SP000103249