BFR 705L3RH E6327
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制造商:Infineon Technologies
描述:TRANS RF BIPO NPN 10MA TSLP-3-9
RoHS:无铅 / 符合
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产品分类 分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 描述 TRANS RF BIPO NPN 10MA TSLP-3-9
产品变化通告 BFR 705L3RH E6327 Discontinuation 04/Nov/2010
标准包装 15,000
系列 - 晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 4.7V
频率 - 转换 39GHz
噪声系数(dB典型值@频率) 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
增益 25dB
功率 - 最大 40mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 160 @ 7mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 10mA
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-101,SOT-883
供应商设备封装 PG-TSLP-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 BFR705L3RHE6327INTR
BFR705L3RHE6327XT
SP000252590
BFR 705L3RH E6327 同类产品
型号 AOI516 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 RF 晶体管 (BJT)
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc 描述 MOSFET N-CH 30V 17A TO251A
标准包装 70 系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1229pF @ 15V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装 *
包装 管件
型号 NESG250134-T1-AZ 数量 1,914
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 RF 晶体管 (BJT)
制造商 CEL 描述 TRANS NPN 900MHZ SOT-89
标准包装 1 系列 -
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 9.2V
频率 - 转换 10GHz
噪声系数(dB典型值@频率) -
增益 23dB
功率 - 最大 1.5W
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 80 @ 100mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 500mA
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-243AA
供应商设备封装 SOT-89
包装 标准包装
其它名称 NESG250134-T1-AZDKR
型号 BK0603LL121-T 数量 15,248
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 RF 晶体管 (BJT)
制造商 Taiyo Yuden 描述 FERRITE BEAD 120 OHM 0201
标准包装 1 系列 BK
频率对应阻抗 120 欧姆 @ 100MHz
额定电流 100mA
DC 电阻(DCR) 最大 1.5 欧姆
滤波器类型 差模 - 单线
封装/外壳 0201(0603 公制)
安装类型 表面贴装
包装 标准包装 高度(最大) 0.013"(0.33mm)
尺寸/尺寸 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
其它名称 587-3012-6
型号 940C8P22K 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 RF 晶体管 (BJT)
制造商 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 描述 CAP FILM 0.22UF 850VDC AXIAL
标准包装 25 系列 940C
电容 0.22µF
额定电压 - AC 450V
额定电压 - DC 850V
电介质材料 聚丙烯,金属化
容差 ±10%
ESR(等效串联电阻) 8 毫欧
工作温度 -55°C ~ 105°C
安装类型 通孔
封装/外壳 轴向
尺寸/尺寸 0.610" 直径 x 1.339" L(15.50mm x 34.00mm)
高度 - 座高(最大) -
端子 PC 引脚
引线间隔 -
特点 高频和高稳定性
应用 -
包装 散装
型号 ASML-48.000MHZ-T 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 RF 晶体管 (BJT)
制造商 Abracon Corporation 描述 OSCILLATOR 48.0000 MHZ 3.3V SMD
产品目录绘图 ASML Series Side 2
ASML Series Side 1
ASML Series Top
标准包装 1,000
系列 ASML 类型 XO(标准)
频率 48MHz
功能 三态(输出启用)
输出 HCMOS
电源电压 3.3V
频率稳定性 ±100ppm
工作温度 0°C ~ 70°C
电流 - 电源(最大) 35mA
额定值 -
安装类型 表面贴装
尺寸/尺寸 0.551" L x 0.352" W(14.00mm x 8.95mm)
高度 0.185"(4.70mm)
封装/外壳 4-SOJ,5.08mm 间距
包装 带卷 (TR)
电流 - 电源(禁用)(最大) -
其它名称 535-9405-2
型号 NESG250134-T1-AZ 数量 1,914
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 RF 晶体管 (BJT)
制造商 CEL 描述 TRANS NPN 900MHZ SOT-89
标准包装 1 系列 -
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 9.2V
频率 - 转换 10GHz
噪声系数(dB典型值@频率) -
增益 23dB
功率 - 最大 1.5W
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 80 @ 100mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 500mA
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-243AA
供应商设备封装 SOT-89
包装 剪切带 (CT)
其它名称 NESG250134-T1-AZCT
型号 BK0603LL121-T 数量 15,248
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 RF 晶体管 (BJT)
制造商 Taiyo Yuden 描述 FERRITE BEAD 120 OHM 0201
标准包装 1 系列 BK
频率对应阻抗 120 欧姆 @ 100MHz
额定电流 100mA
DC 电阻(DCR) 最大 1.5 欧姆
滤波器类型 差模 - 单线
封装/外壳 0201(0603 公制)
安装类型 表面贴装
包装 剪切带 (CT)
高度(最大) 0.013"(0.33mm)
尺寸/尺寸 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
其它名称 587-3012-1
型号 930C4P47K-F 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 RF 晶体管 (BJT)
制造商 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 描述 CAP FILM 0.47UF 400VDC AXIAL
标准包装 25 系列 930
电容 0.47µF
额定电压 - AC 250V
额定电压 - DC 400V
电介质材料 聚丙烯,金属化
容差 ±10%
ESR(等效串联电阻) 32 毫欧
工作温度 -55°C ~ 105°C
安装类型 通孔
封装/外壳 轴向
尺寸/尺寸 0.543" 直径 x 1.000" L(13.80mm x 25.40mm)
高度 - 座高(最大) -
端子 PC 引脚
引线间隔 -
特点 通用
应用 -
包装 散装
型号 ASML-40.000MHZ-T 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 RF 晶体管 (BJT)
制造商 Abracon Corporation 描述 OSCILLATOR 40.0000 MHZ 3.3V SMD
标准包装 1 系列 ASML
类型 XO(标准)
频率 40MHz
功能 三态(输出启用)
输出 HCMOS
电源电压 3.3V
频率稳定性 ±100ppm
工作温度 0°C ~ 70°C
电流 - 电源(最大) 35mA
额定值 -
安装类型 表面贴装
尺寸/尺寸 0.551" L x 0.352" W(14.00mm x 8.95mm)
高度 0.185"(4.70mm)
封装/外壳 4-SOJ,5.08mm 间距
包装 剪切带 (CT)
电流 - 电源(禁用)(最大) -
其它名称 535-9404-1
型号 AOD518 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 RF 晶体管 (BJT)
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc 描述 MOSFET N CH 30V 54A TO252 DPAK
标准包装 1 系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 54A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 8 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.6V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 22.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 951pF @ 15V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 TO-252,(D-Pak)
包装 标准包装 其它名称 785-1359-6