型号: | BSF030NE2LQ |
厂商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 24 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | GREEN, METAL, WDSON-2 |
文件页数: | 12/13页 |
文件大小: | 1563K |
代理商: | BSF030NE2LQ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BSZ086P03NS3EG | 13.5 A, 30 V, 0.0134 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
BT485AKHJ170 | 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84 |
BT485AKPJ135 | 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84 |
BT68561AKPJ | 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC68 |
BT68560AKPJ | 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSF030NE2LQXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 24A 6-Pin WDSON 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 |
BSF035NE2LQXUMA1 | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Ta),69A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 30A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1862pF @ 12V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:5,000 |
BSF045N03LQ3 G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
BSF045N03LQ3GXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 18A 6-Pin WDSON T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel |