型号: | BSO204P |
厂商: | Infineon Technologies |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET DUAL P-CH 20V 7A 8-SOIC |
产品变化通告: | Product Discontinuation 26/Jul/2012 |
标准包装: | 2,500 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 30 毫欧 @ 7A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.2V @ 60µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 35.8nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1513pF @ 15V |
功率 - 最大: | 2W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | P-DSO-8 |
包装: | 带卷 (TR) |
其它名称: | BSO204PINTR SP000013487 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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5003.1231.1 | MODULE POWER ENTRY 125VDC 6A |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSO204PNTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 7A 8-SOIC |
BSO207P | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel -20V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
BSO207P H | 功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
BSO207PH | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS P-Power-Transistor |
BSO207PHXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8 |