| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 | 描述 | MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59 |
| 标准包装 | 3,000 | 系列 | SIPMOS® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 620mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 800 毫欧 @ 620mA，10V |
Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 160µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 176pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商设备封装 | PG-SC-59 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SP000265405 |
BSR315P L6327 同类产品
| 型号 | BSS169 H6327 | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | 
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Infineon Technologies | 描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 |
| 标准包装 | 3,000 | 系列 | SIPMOS® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 特点 | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 170mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.8V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.8nC @ 7V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 68pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 360mW |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商设备封装 | PG-SOT23-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | BSS169H6327XTSA1 SP000702572 |
| 型号 | 930C1W1P2K-F | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | 描述 | CAP FILM 1.2UF 100VDC AXIAL |
| 标准包装 | 1,000 | 系列 | 930 |
| 电容 | 1.2µF |
额定电压 - AC | 70V |
| 额定电压 - DC | 100V |
电介质材料 | 聚丙烯，金属化 |
| 容差 | ±10% |
ESR（等效串联电阻） | 24 毫欧 |
| 工作温度 | -55°C ~ 105°C |
安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 轴向 |
尺寸/尺寸 | 0.453" 直径 x 1.000" L（11.50mm x 25.40mm） |
| 高度 - 座高（最大） | - |
端子 | PC 引脚 |
| 引线间隔 | - |
特点 | 通用 |
| 应用 | - |
包装 | 散装 |
| 型号 | 3314S-3-502E | 数量 | 371 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Bourns Inc. | 描述 | TRIMMER 5K OHM 0.25W SMD |
| 产品目录绘图 | 3314 Series Circuit 3314S Series Side 3314S Series Top 3314S Series Bottom 3314S Series Footprint |
标准包装 | 5 |
| 系列 | Trimpot® 3314 - 密封式 | 电阻（欧姆） | 5k |
| 功率（瓦特） | 0.25W，1/4W |
容差 | ±20% |
| 温度系数 | ±100ppm/°C |
匝数 | 单路 |
| 调节型 | 侧面调节 |
电阻材料 | 金属陶瓷 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
端接类型 | J 引线 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
尺寸/尺寸 | 方形 - 0.197" L x 0.177" W x 0.221" H（5.01mm x 4.50mm x 5.61mm） |
| 产品目录页面 | 2321 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 3314S-3-502ECT |
| 型号 | BFG410W,115 | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | NXP Semiconductors | 描述 | TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R |
| 产品目录绘图 | SOT-343R Package Top |
标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - | 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 4.5V |
频率 - 转换 | 22GHz |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
增益 | 21dB |
| 功率 - 最大 | 54mW |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 50 @ 10mA，2V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 12mA |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
供应商设备封装 | CMPAK-4 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1506 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 568-1980-2 934047460115 BFG410W T/R |
| 型号 | ASML-50.000MHZ-T | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Abracon Corporation | 描述 | OSCILLATOR 50.0000 MHZ 3.3V SMD |
| 标准包装 | 1 | 系列 | ASML |
| 类型 | XO（标准） |
频率 | 50MHz |
| 功能 | 三态（输出启用） |
输出 | HCMOS |
| 电源电压 | 3.3V |
频率稳定性 | ±100ppm |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
电流 - 电源（最大） | 35mA |
| 额定值 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
| 尺寸/尺寸 | 0.551" L x 0.352" W（14.00mm x 8.95mm） |
高度 | 0.185"（4.70mm） |
| 封装/外壳 | 4-SOJ，5.08mm 间距 |
包装 | 剪切带 (CT) |
| 电流 - 电源（禁用）（最大） | - |
其它名称 | 535-9406-1 |
| 型号 | MMWA6P68K | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | 描述 | CAP FILM 0.68UF 630VDC AXIAL |
| 标准包装 | 1,000 | 系列 | MMWA |
| 电容 | 0.68µF |
额定电压 - AC | 250V |
| 额定电压 - DC | 630V |
电介质材料 | 聚酯，金属化 |
| 容差 | ±10% |
ESR（等效串联电阻） | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 轴向 |
尺寸/尺寸 | 0.571" 直径 x 1.748" L（14.50mm x 44.40mm） |
| 高度 - 座高（最大） | - |
端子 | PC 引脚 |
| 引线间隔 | - |
特点 | 通用 |
| 应用 | - |
包装 | 散装 |
| 型号 | ASML-50.000MHZ-T | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Abracon Corporation | 描述 | OSCILLATOR 50.0000 MHZ 3.3V SMD |
| 标准包装 | 1,000 | 系列 | ASML |
| 类型 | XO（标准） |
频率 | 50MHz |
| 功能 | 三态（输出启用） |
输出 | HCMOS |
| 电源电压 | 3.3V |
频率稳定性 | ±100ppm |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
电流 - 电源（最大） | 35mA |
| 额定值 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
| 尺寸/尺寸 | 0.551" L x 0.352" W（14.00mm x 8.95mm） |
高度 | 0.185"（4.70mm） |
| 封装/外壳 | 4-SOJ，5.08mm 间距 |
包装 | 带卷 (TR) |
| 电流 - 电源（禁用）（最大） | - |
其它名称 | 535-9406-2 |
| 型号 | 3314S-3-502E | 数量 | 200 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Bourns Inc. | 描述 | TRIMMER 5K OHM 0.25W SMD |
| 产品目录绘图 | 3314 Series Circuit 3314S Series Side 3314S Series Top 3314S Series Bottom 3314S Series Footprint |
标准包装 | 200 |
| 系列 | Trimpot® 3314 - 密封式 | 电阻（欧姆） | 5k |
| 功率（瓦特） | 0.25W，1/4W |
容差 | ±20% |
| 温度系数 | ±100ppm/°C |
匝数 | 单路 |
| 调节型 | 侧面调节 |
电阻材料 | 金属陶瓷 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
端接类型 | J 引线 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
尺寸/尺寸 | 方形 - 0.197" L x 0.177" W x 0.221" H（5.01mm x 4.50mm x 5.61mm） |
| 产品目录页面 | 2321 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 3314S-3-502ETR |
| 型号 | 930C6W1K-F | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | 描述 | CAP FILM 1UF 630VDC AXIAL |
| 标准包装 | 1,000 | 系列 | 930 |
| 电容 | 1.0µF |
额定电压 - AC | 275V |
| 额定电压 - DC | 630V |
电介质材料 | 聚丙烯，金属化 |
| 容差 | ±10% |
ESR（等效串联电阻） | 18 毫欧 |
| 工作温度 | -55°C ~ 105°C |
安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 轴向 |
尺寸/尺寸 | 0.795" 直径 x 1.850" L（20.20mm x 47.00mm） |
| 高度 - 座高（最大） | - |
端子 | PC 引脚 |
| 引线间隔 | - |
特点 | 通用 |
| 应用 | - |
包装 | 散装 |
| 型号 | AOI518 | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc | 描述 | MOSFET N-CH 30V 15A TO251A |
| 标准包装 | 70 | 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 8 毫欧 @ 20A，10V |
Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 951pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
供应商设备封装 | * |
| 包装 | 管件 |