BT138B-600E /T3
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制造商:NXP Semiconductors
描述:双向可控硅 TAPE13 TRIAC
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产品分类 变压器 >> 双向可控硅 描述 双向可控硅 TAPE13 TRIAC
制造商 NXP Semiconductors
开启状态 RMS 电流 (It RMS) 不重复通态电流 105 A
额定重复关闭状态电压 VDRM 600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) 0.1 mA
开启状态电压 1.65 V 保持电流(Ih 最大值) 30 mA
栅触发电压 (Vgt) 1.5 V 栅触发电流 (Igt) 25 mA
最大工作温度 安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 D2PAK-3
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型号 BT139B-800G /T3 数量 可订货
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制造商 NXP Semiconductors 不重复通态电流 170 A
额定重复关闭状态电压 VDRM 800 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) 0.1 mA
开启状态电压 1.6 V 保持电流(Ih 最大值) 60 mA
栅触发电压 (Vgt) 1.5 V 栅触发电流 (Igt) 100 mA
安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 D2PAK-3
型号 BTA41-400B 数量 可订货
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产品分类 变压器 >> 双向可控硅 描述 双向可控硅 40 Amp 400 Volt
制造商 STMicroelectronics 不重复通态电流 315 A
额定重复关闭状态电压 VDRM 400 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) 5 uA
开启状态电压 1.8 V 保持电流(Ih 最大值) 80 mA
栅触发电压 (Vgt) 1.5 V 栅触发电流 (Igt) 100 mA
安装风格 Through Hole 封装 / 箱体 TOP-3
型号 BTA140-600 数量 可订货
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产品分类 变压器 >> 双向可控硅 描述 双向可控硅 RAIL TRIAC
制造商 NXP Semiconductors 不重复通态电流 209 A
额定重复关闭状态电压 VDRM 600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) 0.1 mA
开启状态电压 1.55 V 保持电流(Ih 最大值) 60 mA
栅触发电压 (Vgt) 1.5 V 栅触发电流 (Igt) 70 mA
最大工作温度 + 125 C 安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220AB-3
型号 BT134-800 数量 可订货
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产品分类 变压器 >> 双向可控硅 描述 双向可控硅 RAIL TRIAC
制造商 NXP Semiconductors 不重复通态电流 27 A
额定重复关闭状态电压 VDRM 800 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) 0.1 mA
开启状态电压 1.7 V 保持电流(Ih 最大值) 15 mA
栅触发电压 (Vgt) 1.5 V 栅触发电流 (Igt) 70 mA
安装风格 Through Hole 封装 / 箱体 SOT-82-3
型号 BTA312-800B 数量 可订货
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产品分类 变压器 >> 双向可控硅 描述 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS
制造商 NXP Semiconductors 不重复通态电流 105 A
额定重复关闭状态电压 VDRM 800 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) 0.1 mA
开启状态电压 1.6 V 保持电流(Ih 最大值) 60 mA
栅触发电压 (Vgt) 1.5 V 栅触发电流 (Igt) 50 mA
最大工作温度 + 125 C 安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220AB-3
型号 BT236X-800 数量 可订货
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产品分类 变压器 >> 双向可控硅 描述 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS
制造商 NXP Semiconductors 不重复通态电流 71 A
额定重复关闭状态电压 VDRM 800 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) 0.1 mA
开启状态电压 1.65 V 保持电流(Ih 最大值) 20 mA
栅触发电压 (Vgt) 1.5 V 栅触发电流 (Igt) 70 mA
最大工作温度 + 125 C 安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220F-3
型号 BTA412Y-600C 数量 可订货
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产品分类 变压器 >> 双向可控硅 描述 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS
制造商 NXP Semiconductors 不重复通态电流 153 A
额定重复关闭状态电压 VDRM 600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) 0.4 mA
开启状态电压 1.5 V 保持电流(Ih 最大值) 35 mA
栅触发电压 (Vgt) 1.5 V 栅触发电流 (Igt) 35 mA
最大工作温度 + 150 C 安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220-3
型号 BT136X-600F 数量 可订货
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产品分类 变压器 >> 双向可控硅 描述 双向可控硅 RAIL TRIAC
制造商 NXP Semiconductors 不重复通态电流 27 A
额定重复关闭状态电压 VDRM 600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) 0.1 mA
开启状态电压 1.7 V 保持电流(Ih 最大值) 15 mA
栅触发电压 (Vgt) 1.5 V 栅触发电流 (Igt) 70 mA
最大工作温度 + 125 C 安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220F-3
型号 BT137B-800 /T3 数量 可订货
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制造商 NXP Semiconductors 不重复通态电流 71 A
额定重复关闭状态电压 VDRM 800 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) 0.1 mA
开启状态电压 1.65 V 保持电流(Ih 最大值) 20 mA
栅触发电压 (Vgt) 1.5 V 栅触发电流 (Igt) 70 mA
安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 D2PAK-3
型号 TIC263N-S 数量 可订货
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产品分类 变压器 >> 双向可控硅 描述 双向可控硅 800V 25A TRIAC
制造商 Bourns 不重复通态电流 175 A
额定重复关闭状态电压 VDRM 800 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) 2 mA
开启状态电压 1.7 V 保持电流(Ih 最大值) 40 mA
栅触发电压 (Vgt) 2 V 栅触发电流 (Igt) 50 mA
最大工作温度 + 110 C 安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-93