参数资料
| 型号： | BZA862AL,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER QUAD 6.2V SOT353 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 4V |
| 电压 - 击穿： | 5.89V |
| 功率（瓦特）： | 24W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 供应商设备封装： | SOT-353 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6865-6 |
NXP Semiconductors
Quadruple ESD transient voltage
suppressor
Product data sheet
BZA800AL series
10
handbook, halfpage
IZSM
(A)
MLD790
10 2
handbook, halfpage
PZSM
(W)
MLD791
BZA856AL
BZA856AL
BZA862AL
1
BZA868AL
10
BZA862AL
BZA868AL
10 ? 2
10 ? 1
10 ? 2
10 ? 1
1
tp (ms)
10
1
10 ? 1
1
tp (ms)
10
P ZSM = V ZSM × I ZSM .
V ZSM is the non-repetitive peak reverse voltage at I ZSM .
Fig.3
Maximum non-repetitive peak reverse
Fig.2
Maximum non-repetitive peak reverse
current as a function of pulse time.
power dissipation as a function of pulse
duration (square pulse).
120
handbook, halfpage
Cd
(pF)
MLD792
400
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
MLD793
300
80
200
BZA856AL
40
BZA862AL
0
BZA868AL
100
0
0
2
4
6
VR (V)
8
0
50
100
Tamb ( ° C)
150
T j = 25 ° C; f = 1 MHz.
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2002 Jan 11
4
Fig.5 Power derating curve.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BZA862AVL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS QUAD SOT-353 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, QUAD, SOT-353 |
| BZA862AVL T/R | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| BZA862AVL,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| BZA862AVL115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD PROTECTION |
| BZA868A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS QUAD SOT-353 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, QUAD, SOT-353 |
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