参数资料
型号: BZT55B9V1GS18
厂商: VISHAY TELEFUNKEN
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: SOD-80, QUADROMELF-2
文件页数: 1/6页
文件大小: 153K
代理商: BZT55B9V1GS18
BZT55C...
Vishay Telefunken
Rev. 4, 12-Mar-01
1 (6)
www.vishay.com
Document Number 85601
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
D Very sharp reverse characteristic
D Low reverse current level
D Very high stability
D Low noise
D Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
96 12009
Order Instruction
Type
Ordering Code
Remarks
BZT55C2V4
BZT55C2V4–GS08
Tape and Reel (2.500 pcs)
BZT55C2V4
BZT55C2V4–GS18
Tape and Reel (10.000 pcs)
Absolute Maximum Ratings
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
RthJAx300K/W
PV
500
mW
Z–current
IZ
PV/VZ
mA
Junction temperature
Tj
175
°C
Storage temperature range
Tstg
–65...+175
°C
Maximum Thermal Resistance
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Junction ambient
on PC board 50 mmx50 mmx1.6 mm
RthJA
500
K/W
Electrical Characteristics
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
IF=200mA
VF
1.5
V
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PDF描述
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