型号: | BZT55B9V1GS18 |
厂商: | VISHAY TELEFUNKEN |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | SOD-80, QUADROMELF-2 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 153K |
代理商: | BZT55B9V1GS18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BZT55F16GS08 | 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
BZT55F3V3GS18 | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
BZT55F5V6GS18 | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
BZT55C43GS08 | 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
BZT55C7V5GS08 | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BZT55B9V1-GS18 | 功能描述:稳压二极管 9.1 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
BZT55C10 | 功能描述:稳压二极管 10 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
BZT55C10 L0G | 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 |
BZT55C10 L1 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 10V 5% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R |
BZT55C10 L1G | 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 |