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参数资料
| 型号： | BZT55C2V4 |
| 厂商： | VISHAY TELEFUNKEN |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | SOD-80, QUADROMELF-2 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | BZT55C2V4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZT55B5V1GS18 | 5.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZT55B6V2GS18 | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZT55B9V1GS18 | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZT55F16GS08 | 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZT55F3V3GS18 | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BZT55C2V4 L0G | 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 |
| BZT55C2V4 L1 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R |
| BZT55C2V4 L1G | 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 |
| BZT55C2V4-GS08 | 功能描述:稳压二极管 2.4 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZT55C2V4-GS18 | 功能描述:稳压二极管 2.4 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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