C2M1000170J-TR

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C2M1000170J-TR
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Cree/Wolfspeed
D2PAK
17+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
制造商
cree/wolfspeed
系列
C2M?
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源极电压（Vdss）
1700V（1.7kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
1.4 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.1V @ 500μA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
13nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
200pF @ 1000V
功率 - 最大值
78W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-7（直引线）
供应商器件封装
D2PAK（7-Lead）
标准包装
800

C2M1000170J-TR 技术参数

C2M1000170J 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 500μA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 1000V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7（直引线）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:50 C2M1000170D 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:191pF @ 1000V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0280120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1.25mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20.4nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:259pF @ 1000V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0160120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:196 毫欧 @ 10A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32.6nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:527pF @ 800V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0080120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:62nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:192W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2PXG-1418G C2PXG-1418M C2PXG-1436G C2PXG-1436M C2PXG-1606G C2PXG-1606M C2PXG-1618G C2PXG-1618M C2PXG-1636G C2PXG-1636M C2PXG-2406G C2PXG-2406M C2PXG-2418G C2PXG-2418M C2PXG-2436G C2PXG-2436M C2PXG-4006G C2PXG-4006M