CASBRBH10A

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说明
操作

CASBRBH10A
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
Essentra Components
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

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制造商
Richco
功能描述
4IN NOM BH LGT DTY CASTER

CASBRBH10A 技术参数

CASBRBH05A 功能描述:3IN NOM BH LGT DTY CASTER:BR STE 制造商:essentra components 系列:- 零件状态:过期类型:脚轮颜色:黑尺寸:- 大小/尺寸:- 重量:- 标准包装:4 CAS325M12HM2 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-REC? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:444A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 400A， 20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 105mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1127nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:* 功率 - 最大值:3000W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:1 CAS300M17BM2 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:325A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1076nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20000pF @ 1000V 功率 - 最大值:1760W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:1 CAS300M12BM2 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:404A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1025nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11700pF @ 600V 功率 - 最大值:1660W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块，螺丝端子供应商器件封装:模块标准包装:1 CAS24S128C4ATR 功能描述:IC MEM EEPROM 128KB I2C SOT563 制造商:on semiconductor 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 CASBRSW15A CASBRSWB05A CASBRSWB10A CASBRSWB15A CASBRWHL3A CASBRWHL4A CASBRWHM5A CAS-D20A CAS-D20A1 CAS-D20B CAS-D20B1 CAS-D20TA CAS-D20TA1 CAS-D20TB CAS-D20TB1 CASE SEAL CASE-MTI CASERBH05A