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CBR04C539D3GAC

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CBR04C539D3GAC 技术参数
  • CBR04C539B5GAC 功能描述:CAP CER RF 5.3PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:5.3pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C529B5GAC 功能描述:CAP CER RF 5.2PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:5.2pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C529B2GAC 功能描述:CAP CER 5.2PF 200V .1PF% COG 040 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:5.2pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:200V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C519B5GAC 功能描述:CAP CER RF 5.1PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:5.1pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C510F5GAC 功能描述:CAP CER RF 51PF 50V 1% C0G 0402 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:51pF 容差:±1% 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C569D1GAC CBR04C569D5GAC CBR04C579B5GAC CBR04C589B5GAC CBR04C599B5GAC CBR04C608A1GAC CBR04C608A2GAC CBR04C608A5GAC CBR04C608B1GAC CBR04C608B5GAC CBR04C608C1GAC CBR04C608C5GAC CBR04C609B1GAC CBR04C609B5GAC CBR04C609C1GAC CBR04C609C5GAC CBR04C609D1GAC CBR04C609D5GAC
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