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CBR08C100JCGAC

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CBR08C100JCGAC 技术参数
  • CBR08C100JAGAC 功能描述:10pF 250V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制) 0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 制造商:kemet 系列:CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电容:10pF 容差:±5% 电压 - 额定:250V 温度系数:C0G,NP0 安装类型:表面贴装,MLCC 工作温度:-55°C ~ 125°C 应用:RF,微波,高频 等级:- 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.035"(0.88mm) 引线间距:- 特性:高 Q 值,低损耗 引线形式:- 标准包装:1 CBR06C999BAGAC 功能描述:CAP CER RF 9.9PF 250V +/-0.1 PF 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:9.9pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:250V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0603(1608 公制) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.034"(0.87mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR06C999B5GAC 功能描述:CAP CER RF 9.9PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:9.9pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0603(1608 公制) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.034"(0.87mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR06C989BAGAC 功能描述:CAP CER RF 9.8PF 250V +/-0.1 PF 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:9.8pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:250V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0603(1608 公制) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.034"(0.87mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR06C989B5GAC 功能描述:CAP CER RF 9.8PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:9.8pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0603(1608 公制) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.034"(0.87mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR08C109A1GAC CBR08C109A5GAC CBR08C109AAGAC CBR08C109ACGAC CBR08C109B1GAC CBR08C109B5GAC CBR08C109BAGAC CBR08C109C1GAC CBR08C109C5GAC CBR08C109CAGAC CBR08C110F1GAC CBR08C110F5GAC CBR08C110FAGAC CBR08C110G1GAC CBR08C110G5GAC CBR08C110GAGAC CBR08C110J1GAC CBR08C110J5GAC
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