CC12062R105K7BBD

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CC12062R105K7BBD 技术参数

CC120600000000000 功能描述:MLCC 1206 SAMPLE KIT 制造商:yageo 系列:CC 包装:活页夹零件状态:有效套件类型:陶瓷电容:2.7pF ~ 0.68μF 电压 - 额定:16 ~ 50 V 容差:±0.25pF， ±5%， ±10% 应用:通用特性:- 数量:500 件（每个值各 10 件）安装类型:表面贴装包括封装:1206（3216 公制）标准包装:1 CC1202 功能描述:MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 工作温度:- 封装/外壳:- 标准包装:30 CC1201RHBT 功能描述:IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 164MHz ~ 190MHz, 410MHz ~ 475MHz, 820MHz ~ 950MHz 32-VFQFN Exposed Pad 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:TxRx + MCU 射频系列/标准:通用 ISM < 1GHz 协议:- 调制:2FSK，2GFSK，4FSK，4GFSK，MSK，OOK 频率:164MHz ~ 190MHz，410MHz ~ 475MHz，820MHz ~ 950MHz 数据速率（最大值）:1.25Mbps 功率 - 输出:16dBm 灵敏度:-120dBm 存储容量:4kB ROM，256B RAM 串行接口:SPI GPIO:4 电压 - 电源:2 V ~ 3.6 V 电流 - 接收:19mA ~ 23.6mA 电流 - 传输:33.6mA ~ 54mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘标准包装:1 CC1201RHBR 功能描述:IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 164MHz ~ 190MHz, 410MHz ~ 475MHz, 820MHz ~ 950MHz 32-VFQFN Exposed Pad 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:TxRx + MCU 射频系列/标准:通用 ISM < 1GHz 协议:- 调制:2FSK，2GFSK，4FSK，4GFSK，MSK，OOK 频率:164MHz ~ 190MHz，410MHz ~ 475MHz，820MHz ~ 950MHz 数据速率（最大值）:1.25Mbps 功率 - 输出:16dBm 灵敏度:-120dBm 存储容量:4kB ROM，256B RAM 串行接口:SPI GPIO:4 电压 - 电源:2 V ~ 3.6 V 电流 - 接收:19mA ~ 23.6mA 电流 - 传输:33.6mA ~ 54mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘标准包装:1 CC1201EMK-868-930 功能描述:EVAL MODULE FOR CC1201 制造商:texas instruments 系列:- 零件状态:停產类型:收发器频率:868MHz ~ 930MHz 配套使用产品/相关产品:CC1201 所含物品:板标准包装:1 CC1206CRNPO9BN2R0 CC1206CRNPO9BN2R2 CC1206CRNPO9BN2R7 CC1206CRNPO9BN3R3 CC1206CRNPO9BN3R9 CC1206CRNPO9BN4R7 CC1206CRNPO9BN5R1 CC1206CRNPO9BN5R6 CC1206CRNPO9BN6R8 CC1206CRNPO9BN8R2 CC1206CRNPO9BNR50 CC1206CRNPO9BNR56 CC1206CRNPOABN6R8 CC1206DRNPO9BN5R6 CC1206DRNPO9BN6R8 CC1206DRNPO9BN7R5 CC1206DRNPO9BN8R2 CC1206DRNPO9BN9R1