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CDZT2RA11B

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  • 制造商
  • ROHM Semiconductor
  • 功能描述
CDZT2RA11B 技术参数
  • CDZT2R9.1B 功能描述:Zener Diode 9.1V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:VMN2 标准包装:8,000 CDZT2R8.2B 功能描述:Zener Diode 8.2V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:VMN2 标准包装:8,000 CDZT2R7.5B 功能描述:Zener Diode 7.5V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:VMN2 标准包装:8,000 CDZT2R6.8B 功能描述:Zener Diode 6.8V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 3.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:VMN2 标准包装:1 CDZT2R6.2B 功能描述:Zener Diode 6.2V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not For New Designs 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:VMN2 标准包装:1 CDZT2RA6.2B CDZT2RA6.8B CDZT2RA7.5B CDZT2RA8.2B CDZT2RA9.1B CDZVT2R10B CDZVT2R11B CDZVT2R12B CDZVT2R15B CDZVT2R16B CDZVT2R18B CDZVT2R2.0B CDZVT2R2.2B CDZVT2R2.4B CDZVT2R2.7B CDZVT2R20B CDZVT2R27B CDZVT2R3.0B
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