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CEE124-2R1M

配单专家企业名单
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  • CEE124-2R1M
    CEE124-2R1M

    CEE124-2R1M

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • SUMIDA

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • CEE124-2R1M
    CEE124-2R1M

    CEE124-2R1M

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • CEE124-2R1M
    CEE124-2R1M

    CEE124-2R1M

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:陈康

    电话:18998911681

    地址:深圳市福田区华强北振兴路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 600011

  • 原厂原封

  • 2013+

  • -
  • 原装进口

  • 1/1页 40条/页 共6条 
  • 1
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CEE124-2R1M 技术参数
  • CEE0.6100.151 功能描述:Power Entry Connector Receptacle, Male Blades - Module IEC 320-C14 Panel Mount, Flange 制造商:schurter inc. 系列:CE 包装:散装 零件状态:有效 连接器样式:IEC 320-C14 连接器类型:插座,公插片 - 模块 电流 - IEC:6A 电压 - IEC:250VAC 电流 - UL:6A 电压 - UL:125VAC 滤波器类型:滤波(EMI,RFI)- 商用、医用 保险丝:是 针脚数:3 安装类型:面板安装,法兰 端接:快速连接 - 0.189"(4.8mm) 开关功能:- 特性:电压选择器 保险丝座,抽屉:抽屉单独出售 面板开口尺寸:矩形 - 28.50mm x 53.50mm 面板厚度:- 材料可燃性等级:UL94 V-0 侵入防护:IP40 认可:cULus,ENEC 标准包装:10 CEDS055V0-G 功能描述:TVS DIODE 5VWM SOT23-5 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):5.1V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:7V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):5.1A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标准包装:3,000 CEDS0524V-G 功能描述:TVS DIODE 24VWM SOT23-5 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态(典型值):24V 电压 - 击穿(最小值):25V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:25V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):15A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标准包装:3,000 CEDM8004VL TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):450mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 430mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):55pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:SOT-883VL 标准包装:1 CEDM8004 TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):450mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 430mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):55pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:SOT-883VL 标准包装:1 CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C CEFA101-G CEFA102-G CEFA103-G CEFA104-G CEFA105-G CEFA201-G CEFA202-G CEFA203-G CEFB101-G CEFB102-G CEFB103-G
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