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CIG22L3R3MNE

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  • CIG22L3R3MNE
    CIG22L3R3MNE

    CIG22L3R3MNE

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 6000

  • Samsung Electro-Mechanics

  • 标准封装

  • 16+

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  • 假一罚十,百分百正品

  • CIG22L3R3MNE
    CIG22L3R3MNE

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

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  • SAMSUNG

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  • 公司现货!只做原装!

  • CIG22L3R3MNE
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 最新批号

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  • 一级代理,原装特价现货!

  • CIG22L3R3MNE
    CIG22L3R3MNE

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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

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    资质:营业执照

  • 4693

  • Samsung Electro-Mechanics

  • N/A

  • 17+

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  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • CIG22L3R3MNE
    CIG22L3R3MNE

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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

  • 376800

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 15+ROHS

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  • 一级质量保证长期稳定提供货优价美

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  • 制造商
  • Samsung Electro-Mechanics
  • 功能描述
  • Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 3.3uH 20% 1MHz Ferrite 1.2A 1008 Embossed T/R
  • 制造商
  • Samsung Electro-Mechanics
  • 功能描述
  • POWER INDUCTOR,1008,3.3UH,20%,1.20A - Tape and Reel
  • 制造商
  • SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS AMERICA, INC
  • 功能描述
  • INDUCTOR POWER 3.3UH 1.2A 1008
  • 制造商
  • SAMSUNG
  • 功能描述
  • CIG Series 2520 3.3 uH 20 % 1.2 A SMD Shielded Power Inductor
CIG22L3R3MNE 技术参数
  • CIG22L2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 80 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):80 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 CIG22L1R5MNE 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 70 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:1.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):70 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 CIG22L1R2MNE 功能描述:1.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 65 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:1.2μH 容差:±20% 额定电流:1.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):65 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:3,000 CIG22L1R0MNE 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.6A 60 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):60 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 CIG22L100MNE 功能描述:10μH Shielded Multilayer Inductor 600mA 323 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:600mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):323 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 CIGT201206UM1R0MNE CIGT201208EH1R0MNE CIGT201208EH2R2MNE CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE CIGT201210EM1R0MNE CIGT201210UH1R0MNE CIGT201210UH1R5MNE CIGT201210UH2R2MNE CIGT201210UHR24MNE CIGT201210UHR33MNE CIGT201210UHR47MNE CIGT201210UHR47SNE CIGT201210UHR68MNE
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