您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > C字母型号搜索 > C字母第2660页 >

CIGT252008LM2R2MNE

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • CIGT252008LM2R2MNE
    CIGT252008LM2R2MNE

    CIGT252008LM2R2MNE

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:高先生/曹先生/周小姐

    电话:185208051481348786585213760272017

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 658335

  • Samsung Electro-Mechanics

  • 最新批次

  • -
  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
CIGT252008LM2R2MNE PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • FIXED IND 2.2UH 2A 97MOHM SMD
  • 制造商
  • samsung electro-mechanics
  • 系列
  • CIGT
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • 类型
  • 薄膜
  • 材料 - 磁芯
  • 金属合成物
  • 电感
  • 2.2μH
  • 容差
  • ±20%
  • 额定电流
  • 2A
  • 电流 - 饱和值
  • 2.1A
  • 屏蔽
  • 无屏蔽
  • DC 电阻(DCR)
  • 97 毫欧最大
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 等级
  • -
  • 工作温度
  • -40°C ~ 125°C
  • 频率 - 测试
  • 1MHz
  • 特性
  • -
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 1008(2520 公制)
  • 供应商器件封装
  • 1008(2520 公制)
  • 大小/尺寸
  • 0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)
  • 0.032"(0.80mm)
  • 标准包装
  • 1
CIGT252008LM2R2MNE 技术参数
  • CIGT252008LM1R0MNE 功能描述:FIXED IND 1UH 3.1A 50MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:薄膜 材料 - 磁芯:金属合成物 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:3.1A 电流 - 饱和值:3.8A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):50 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 供应商器件封装:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.032"(0.80mm) 标准包装:1 CIGT252008LHR47MNE 功能描述:FIXED IND 470NH 4.2A 29MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:薄膜 材料 - 磁芯:金属合成物 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:4.2A 电流 - 饱和值:5.5A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):29 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 供应商器件封装:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.032"(0.80mm) 标准包装:1 CIGT252008EH1R0MNE 功能描述:FIXED IND 1UH SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 类型:薄膜 材料 - 磁芯:金属合成物 电感:1μH 容差:±20% 屏蔽:- DC 电阻(DCR):- 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:- 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 供应商器件封装:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.032"(0.80mm) 标准包装:1 CIGT252007LM3R3MNC 功能描述:FIXED IND 3.3UH 1.1A 291MOHM 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:薄膜 材料 - 磁芯:金属合成物 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:1.9A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):291 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 供应商器件封装:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.028"(0.70mm) 标准包装:1 CIGT252007LM2R2MNC 功能描述:FIXED IND 2.2UH 1.6A 140MOHM 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:薄膜 材料 - 磁芯:金属合成物 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:2.2A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):140 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 供应商器件封装:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.028"(0.70mm) 标准包装:1 CIGT252010LM2R2SNE CIGT252010LMR24MNE CIGT252010LMR33MNE CIGT252010LMR47MNE CIGT252010LMR68MNE CIGT252012LM1R0MNE CIGT252012LM2R2MNE CIGT252012LMR47MNE CIGT252012LMR68MNE CIGW160808XMR47MLC CIGW160808XMR47SLC CIGW201610GH1R0MLE CIGW201610GH1R5MLE CIGW201610GH2R2MLE CIGW201610GH4R7MLE CIGW201610GHR33MLE CIGW201610GHR47MLE CIGW201610GHR68MLE
配单专家

在采购CIGT252008LM2R2MNE进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买CIGT252008LM2R2MNE产品风险,建议您在购买CIGT252008LM2R2MNE相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的CIGT252008LM2R2MNE信息由会员自行提供,CIGT252008LM2R2MNE内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号