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CJD41CTR13

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CJD41CTR13 技术参数
  • CJD41C TR13 功能描述:TRANS NPN 100V 6A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):6A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 600mA,6A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):15 @ 3A,4V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 CJD32C TR13 功能描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:1.56W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 CJD31C TR13 功能描述:TRANS NPN 100V 3A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:1.56W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 CJD200 TR13 功能描述:TRANS NPN 40V 5A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.8V @ 1A,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):45 @ 2A,1V 功率 - 最大值:1.4W 频率 - 跃迁:65MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 CJD13003 TR13 功能描述:TRANS NPN 700V 1.5A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 500mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):5 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.56W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 CJD5E88TGBL CJD5E88TGBU CJD5E88TGEI CJD5E88TGGR CJD5E88TGIG CJD5E88TGIW CJD5E88TGOR CJD5E88TGR CJD5E88TGRD CJD5E88TGWH CJD5E88TGYL CJD5E88TOR CJD5E88TRD CJD688TGAW CJD688TGBL CJD688TGEI CJD688TGGR CJD688TGIG
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