CLF1G0035-50-EVB

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CLF1G0035-50-EVB 技术参数

CLF1G0035-50,112 功能描述:FET RF 150V 3GHZ SOT467C 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:HEMT 频率:3GHz 增益:11.5dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:50W 电压 - 额定:150V 封装/外壳:SOT467C 供应商器件封装:SOT467C 标准包装:20 CLF1G0035-100PU 功能描述:IC RF PWR AMP 100W SOT1228A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:HEMT 频率:3GHz 增益:14dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:100W 电压 - 额定:150V 封装/外壳:SOT-1228A 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:20 CLF1G0035-100,112 功能描述:FET RF 150V 3GHZ SOT467C 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:HEMT 频率:3GHz 增益:12dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA 功率 - 输出:100W 电压 - 额定:150V 封装/外壳:SOT467C 供应商器件封装:SOT467C 标准包装:20 CLF12577NIT-6R8N-D 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 8.5A 13 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:6.8μH 容差:±30% 额定电流:8.5A 电流 - 饱和值:7.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:13 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.492" 宽（12.80mm x 12.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 CLF12577NIT-680M-D 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 108 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:68μH 容差:±20% 额定电流:2.7A 电流 - 饱和值:2.65A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:108 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.492" 宽（12.80mm x 12.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 CLF-41-70010 CLF-42-70010 CLF5030NIT-100M-D CLF5030NIT-101M-D CLF5030NIT-150M-D CLF5030NIT-151M-D CLF5030NIT-1R0N-D CLF5030NIT-1R5N-D CLF5030NIT-220M-D CLF5030NIT-221M-D CLF5030NIT-2R2N-D CLF5030NIT-330M-D CLF5030NIT-331M-D CLF5030NIT-3R3N-D CLF5030NIT-470M-D CLF5030NIT-471M-D CLF5030NIT-4R7N-D CLF5030NIT-680M-D