CM200S-32.768KDZB-UT全国供应商【买卖IC网】CM200S-32.768KDZB-UT资料|PDF Datasheet|价格

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价格
说明
操作

CM200S-32.768KDZB-UT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
CITIZEN
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

CM200S-32.768KDZB-UT
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
Citizen Finedevice Co Ltd
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

CM200S-32.768KDZB-UT
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
9000
CITIZEN/西铁城
4-SOJ
23+
-
原厂原装正品现货

CM200S-32.768KDZB-UT
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

CM200S-32.768KDZB-UT
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
6759
CITIZEN AMERICA CORPORATI
N/A
18+
-
进口原装特价出售

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功能描述
晶体 32.768 KHz 6.0pF PLASTIC SMD
RoHS
否
制造商
AVX
频率
26 MHz
容差
频率稳定性
50 PPM
负载电容
8 pF
端接类型
SMD/SMT
封装 / 箱体
1210 (3225 metric)
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
尺寸
2.5 mm W x 3.2 mm L x 0.85 mm H
封装
Reel

CM200S-32.768KDZB-UT 技术参数

CM200S32.768KDZBTR 功能描述:32.768kHz ±20ppm 晶体 6pF 50 千欧 -40°C ~ 85°C 表面贴装 4-SOJ，5.50mm 间距制造商:citizen finedevice co ltd 系列:CM200S 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:kHz 晶体（音叉）频率:32.768kHz 频率稳定度:- 频率容差:±20ppm 负载电容:6pF ESR（等效串联电阻）:50 千欧工作模式:基谐工作温度:-40°C ~ 85°C 等级:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SOJ，5.50mm 间距大小/尺寸:0.311" 长 x 0.146" 宽（7.90mm x 3.70mm）高度:0.098"（2.50mm）标准包装:1 CM200S-32.768KAZF-UT 功能描述:32.768kHz ±30ppm 晶体 12.5pF 50 千欧 -40°C ~ 85°C 表面贴装 4-SOJ，5.50mm 间距制造商:citizen finedevice co ltd 系列:CM200S 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:kHz 晶体（音叉）频率:32.768kHz 频率稳定度:- 频率容差:±30ppm 负载电容:12.5pF ESR（等效串联电阻）:50 千欧工作模式:基谐工作温度:-40°C ~ 85°C 等级:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SOJ，5.50mm 间距大小/尺寸:0.311" 长 x 0.146" 宽（7.90mm x 3.70mm）高度:0.098"（2.50mm）标准包装:1 CM200RL-12NF 功能描述:IGBT Module Three Phase Inverter with Brake 600V 200A 890W Chassis Mount Module 制造商:powerex inc. 系列:IGBTMOD?? 零件状态:过期 IGBT 类型:- 配置:三相反相器，带制动器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:30nF @ 10V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:1 CM200DX-24A 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 1250W Chassis Mount Module 制造商:powerex inc. 系列:IGBTMOD?? 零件状态:过期 IGBT 类型:- 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.6V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:35nF @ 10V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:2 CM200C32768HZFT 功能描述:32.768kHz ±5ppm 晶体 12.5pF 50 千欧 -40°C ~ 85°C 表面贴装 4-SOJ，5.50mm 间距制造商:citizen finedevice co ltd 系列:CM200C 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:kHz 晶体（音叉）频率:32.768kHz 频率稳定度:- 频率容差:±5ppm 负载电容:12.5pF ESR（等效串联电阻）:50 千欧工作模式:基谐工作温度:-40°C ~ 85°C 等级:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SOJ，5.50mm 间距大小/尺寸:0.311" 长 x 0.146" 宽（7.90mm x 3.70mm）高度:0.098"（2.50mm）标准包装:1 CM201212-27NKL CM201212-33NKL CM201212-39NJL CM201212-39NKL CM201212-47NJL CM201212-47NKL CM201212-56NKL CM201212-68NKL CM201212-82NKL CM201212-LAB1 CM201212-R10KL CM201212-R12KL CM201212-R15KL CM201212-R18KL CM201212-R22KL CM201212-R27KL CM201212-R33KL CM201212-R39KL

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