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CM200S32.768KDZBTR

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • CM200S32.768KDZBTR
    CM200S32.768KDZBTR

    CM200S32.768KDZBTR

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Citizen Finedevice Co Ltd

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,原装正品

  • CM200S32.768KDZBTR
    CM200S32.768KDZBTR

    CM200S32.768KDZBTR

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 9000

  • CITIZEN/西铁城

  • 4-SOJ

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
CM200S32.768KDZBTR PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • CRYSTAL 32.768 KHZ 6PF SMD
  • RoHS
  • 类别
  • 晶体和振荡器 >> 晶体
  • 系列
  • CM200S
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • ABLS2
  • 类型
  • MHz 晶体
  • 频率
  • 3.579545MHz
  • 频率稳定性
  • ±30ppm
  • 频率公差
  • ±30ppm
  • 负载电容
  • 18pF
  • ESR(等效串联电阻)
  • 180 欧姆
  • 工作模式
  • 基谐
  • 工作温度
  • -40°C ~ 85°C
  • 额定值
  • -
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • HC49/US
  • 尺寸/尺寸
  • 0.449" L x 0.185" W(11.40mm x 4.70mm)
  • 高度
  • 0.130"(3.30mm)
  • 包装
  • 剪切带 (CT)
  • 产品目录页面
  • 1683 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名称
  • 535-9855-1
CM200S32.768KDZBTR 技术参数
  • CM200S-32.768KAZF-UT 功能描述:32.768kHz ±30ppm 晶体 12.5pF 50 千欧 -40°C ~ 85°C 表面贴装 4-SOJ,5.50mm 间距 制造商:citizen finedevice co ltd 系列:CM200S 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:kHz 晶体(音叉) 频率:32.768kHz 频率稳定度:- 频率容差:±30ppm 负载电容:12.5pF ESR(等效串联电阻):50 千欧 工作模式:基谐 工作温度:-40°C ~ 85°C 等级:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SOJ,5.50mm 间距 大小/尺寸:0.311" 长 x 0.146" 宽(7.90mm x 3.70mm) 高度:0.098"(2.50mm) 标准包装:1 CM200RL-12NF 功能描述:IGBT Module Three Phase Inverter with Brake 600V 200A 890W Chassis Mount Module 制造商:powerex inc. 系列:IGBTMOD?? 零件状态:过期 IGBT 类型:- 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):30nF @ 10V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:1 CM200DX-24A 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 1250W Chassis Mount Module 制造商:powerex inc. 系列:IGBTMOD?? 零件状态:过期 IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.6V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):35nF @ 10V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:2 CM200C32768HZFT 功能描述:32.768kHz ±5ppm 晶体 12.5pF 50 千欧 -40°C ~ 85°C 表面贴装 4-SOJ,5.50mm 间距 制造商:citizen finedevice co ltd 系列:CM200C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:kHz 晶体(音叉) 频率:32.768kHz 频率稳定度:- 频率容差:±5ppm 负载电容:12.5pF ESR(等效串联电阻):50 千欧 工作模式:基谐 工作温度:-40°C ~ 85°C 等级:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SOJ,5.50mm 间距 大小/尺寸:0.311" 长 x 0.146" 宽(7.90mm x 3.70mm) 高度:0.098"(2.50mm) 标准包装:1 CM200C32768EZFT 功能描述:32.768kHz ±10ppm 晶体 12.5pF 50 千欧 -40°C ~ 85°C 表面贴装 4-SOJ,5.50mm 间距 制造商:citizen finedevice co ltd 系列:CM200C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:kHz 晶体(音叉) 频率:32.768kHz 频率稳定度:- 频率容差:±10ppm 负载电容:12.5pF ESR(等效串联电阻):50 千欧 工作模式:基谐 工作温度:-40°C ~ 85°C 等级:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SOJ,5.50mm 间距 大小/尺寸:0.311" 长 x 0.146" 宽(7.90mm x 3.70mm) 高度:0.098"(2.50mm) 标准包装:1 CM201212-22NKL CM201212-27NKL CM201212-33NKL CM201212-39NJL CM201212-39NKL CM201212-47NJL CM201212-47NKL CM201212-56NKL CM201212-68NKL CM201212-82NKL CM201212-LAB1 CM201212-R10KL CM201212-R12KL CM201212-R15KL CM201212-R18KL CM201212-R22KL CM201212-R27KL CM201212-R33KL
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