CMG1-1REC5-30543-1

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制造商
Sensata Technologies
功能描述
1 Pole

CMG1-1REC5-30543-1 技术参数

CMG07(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:- 标准包装:3,000 CMG06(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMG05(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMG03(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 2A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 2A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMG02(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 2A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMG1-1RS5-30669-1 CMG1-1RS5-30669-2 CMG1-1RS5-30669-3 CMG1-1RS5-30669-4 CMG1-1RS5-30669-5 CMG1-1RS5-30669-6 CMG6-1RLSG4-32376-20-V CMG6-1RLSG4-32376-40-V CMGBX6-1RLS4-36143-50-V CMGBX6-1RLS4-70370-15-V CMGBX6-1RS4-35774-50-V CMGF6-1RLS4-34315-40-V CMGH6-1-51-30.0-01-V CMGRT-100 CMGRT-100-C CMGZXF6-1REC4-33900-1-V CMH01(TE12L,Q,M) CMH02A(TE12L,Q,M)