CMH07 TE12R

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CMH07 TE12R
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
42000
TOSHIBA
M-FLAT
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

CMH07 TE12R
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
TOSHIBA
M-FLAT
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

CMH07 TE12R
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

CMH07 TE12R
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
联系人：曹先生
电话：0755-239499810755-23037082
地址：深圳市福田区都会大厦B座29S
36000
TOSHIBA
M-FLAT
1305+
-
原装现货库存

1/1页 40条/页共7条
1

您是不是要找： CMH07(TE12L,Q,M) CMH08(TE12L,Q,M) CMH08A(TE12L,Q,M) CMH322522-100KL CMH322522-101KL CMH322522-10NML CMH322522-120KL CMH322522-121KL CMH322522-12NML

CMH07 TE12R PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CMH07 TE12R 技术参数

CMH05A(TE12L,Q,M) 功能描述:Diode Standard 400V 1A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1 CMH05(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMH04(TE12L,Q,M) 功能描述:Diode Standard 200V 1A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:980mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMH02A(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMH01(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:980mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMH322522-150KL CMH322522-151KL CMH322522-15NML CMH322522-180KL CMH322522-181KL CMH322522-18NML CMH322522-1R0KL CMH322522-1R2KL CMH322522-1R5KL CMH322522-1R8KL CMH322522-220KL CMH322522-221KL CMH322522-22NML CMH322522-270KL CMH322522-271KL CMH322522-27NML CMH322522-2R2KL CMH322522-2R7KL