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CMLHPB111-1REC4-34606-3-V

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  • CMLHPB111-1REC4-34606-3-V
    CMLHPB111-1REC4-34606-3-V

    CMLHPB111-1REC4-34606-3-V

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 6000

  • Sensata Technologies/Airp

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共1条 
  • 1
CMLHPB111-1REC4-34606-3-V PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Airpax
  • 功能描述
  • CIRCUIT PROTECTOR HYD MAGNETIC
  • 制造商
  • Sensata Technologies
  • 功能描述
  • CMLHPB111-1REC4-34606-3-V /Pole # 3 /Prod Family
CMLHPB111-1REC4-34606-3-V 技术参数
  • CMLDM8120G TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):860mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 950mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.56nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):200pF @ 16V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM8120 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):860mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 950mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.56nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):200pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM8005 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):650mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 350mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM8002AG TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):280mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):70pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM7585 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):650mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):230 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250 CMLHPK111-1RLS4-33518-1 CMLHPK111-1RLS5-52-250.-A-01-V CMLHPK111-1RS4-32924-225 CMLHPK111-38622-250-V CMLHPK111-38646-250-V CMLHPK11-1REC4-33767-200 CMLHPK11-1REC4-35051-200 CMLHPK11-1REC5-33230-175 CMLHPK11-1REC5-33230-200
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