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CMPF5485 TR

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  • CMPF5485 TR
    CMPF5485 TR

    CMPF5485 TR

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Central Semiconductor Cor

  • SOT-23

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共6条 
  • 1
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  • 制造商
  • CENTRAL SEMICONDUCTOR
  • 功能描述
  • SMD Small Signal JFET N ChanneSOT-23
CMPF5485 TR 技术参数
  • CMPF4416A TR 功能描述:JFET N-Channel 35V 5mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):35V 漏源极电压(Vdss):35V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2.5V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4.5pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:1 CMPF4393 TR 功能描述:JFET N-Channel 40V 5mA @ 20V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):500mV @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14pF @ 20V 电阻 - RDS(开):100 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:1 CMPF4392 TR 功能描述:JFET N-Channel 40V 25mA @ 20V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):25mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14pF @ 20V 电阻 - RDS(开):60 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:1 CMPF4391 TR 功能描述:JFET N-Channel 40V 50mA @ 20V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):50mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):4V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14pF @ 20V 电阻 - RDS(开):30 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:3,000 CMPDM7003 TR 功能描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):280mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPHF2 CMPHH2 CMPHHF1 CMPP6028 TR CMPS5062 TR CMPS5062 TR H CMPS5064 TR CMPSH05-4 BK CMPSH05-4 TR CMPSH05-4C TR CMPSH1-4 BK CMPSH1-4 TR CMPSH-3 BK CMPSH-3 TR CMPSH-3A TR CMPSH-3AE TR CMPSH-3C TR CMPSH-3CE TR
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