CMY212/CMY213/EVAL

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CMY212/CMY213/EVAL 技术参数

CMXZ39VTO TR 功能描述:DIODE-ZENER TRIPLE: OPPOSING 制造商:central semiconductor corp 系列:- 零件状态:在售配置:3 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 27.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:3,000 CMXT3946 TR 功能描述:TRANS NPN/PNP 200MA SOT26 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:300MHz，250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:1 CMXT3906 TR 功能描述:TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT26 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:1 CMXT3904 TR 功能描述:TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT26 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:2 NPN（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:1 CMXT2907A TR 功能描述:TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT26 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:1 CMZ27(TE12L,Q,M) CMZ5348B TR13 CMZ5366B TR13 CMZ5915B TR13 CMZ5918B BK CMZ5918B TR13 CMZ5919B BK CMZ5919B TR13 CMZ5920B BK CMZ5920B TR13 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13