CPC3980ZTR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CPC3980ZTR
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
IXYS
SOT-223
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

CPC3980ZTR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CPC3980ZTR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
34480
IXYS INTE
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共12条
1

您是不是要找： CPC3982TTR CPC40055ST CPC44055ST CPC5001G CPC5001GS CPC5001GSTR CPC5002G CPC5002GS CPC5002GSTR

CPC3980ZTR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CPC3980ZTR PDF下载

功能描述
MOSFET N-CH 800V SOT-223
制造商
ixys integrated circuits division
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
耗尽模式
漏源极电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
45 欧姆 @ 100mA， 0V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
115pF @ 25V
功率 - 最大值
1.8W
工作温度
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223
标准包装
1

CPC3980ZTR 技术参数

CPC3960ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 600V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:44 欧姆 @ 100mA， 0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 CPC3909ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 CPC3909CTR 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 CPC3902ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗尽模式功率耗散（最大值）:1.8W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 300mA， 0V 工作温度:-55°C ~ 110°C（TA）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 CPC3902CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V TO-243AA 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗尽模式功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 300mA， 0V 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-89 封装/外壳:TO-243AA 标准包装:1,000 CPC5601D CPC5602CTR CPC5603CTR CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N CPC5608NTR CPC5610A CPC5610ATR CPC5611A CPC5611ATR CPC5620A CPC5620ATR CPC5621A CPC5621ATR CPC5621-EVAL-CDL CPC5621-EVAL-RDL CPC5622A