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CPH38W23FGE3SK9X

配单专家企业名单
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  • CPH38W23FGE3SK9X
    CPH38W23FGE3SK9X

    CPH38W23FGE3SK9X

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Conec

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品,

  • CPH38W23FGE3SK9X
    CPH38W23FGE3SK9X

    CPH38W23FGE3SK9X

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:刘春兰

    电话:19129491434(微信同号)

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 10000

  • Conec

  • 原装

  • 2013+

  • -
  • 授权分销 现货热卖

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
CPH38W23FGE3SK9X PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • PCI Express / PCI 连接器 38 POS FEMALE STR PRESSFIT
  • RoHS
  • 制造商
  • JAE Electronics
  • 系列
  • MM60
  • 产品类型
  • PCI Express
  • 位置/触点数量
  • 52
  • 安装角
  • Right
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 端接类型
  • Solder Pad
  • 外壳材料
  • Plastic
  • 触点材料
  • Copper Alloy
  • 触点电镀
  • Gold
CPH38W23FGE3SK9X 技术参数
  • CPH3462-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):785 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):155pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3461-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 欧姆 @ 170mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):140pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3461-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 欧姆 @ 170mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):140pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3459-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 欧姆 @ 250mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):90pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3457-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):95 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):265pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH5512-TL-E CPH5517-TL-E CPH5518-TL-E CPH5518-TL-H CPH5520-TL-E CPH5524-TL-E CPH5541-TL-E CPH5617-TL-E CPH5852-TL-E CPH5871-TL-W CPH5901F-TL-E CPH5901G-TL-E CPH5902G-TL-E CPH5902H-TL-E CPH5905G-TL-E CPH5905H-TL-E CPH6001A-TL-E CPH6003A-TL-E
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