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CPH6315TLE

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CPH6315TLE 技术参数
  • CPH6311-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):42 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1230pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6223-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):240mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:380MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH6153-TL-E 功能描述:TRANS PNP 20V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):195mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH6153-P-TL-E 功能描述:TRANS PNP 20V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):195mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH6123-TL-E 功能描述:TRANS PNP 50V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:390MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6350-TL-E CPH6350-TL-W CPH6354-TL-H CPH6354-TL-W CPH6355-TL-H CPH6355-TL-W CPH6411-TL-E CPH6429-TL-E CPH6434-TL-E CPH6442-TL-E CPH6442-TL-W CPH6443-P-TL-H CPH6443-TL-H CPH6443-TL-W CPH6444-TL-E CPH6444-TL-W CPH6445-TL-W CPH6501-TL-E
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