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CPH6901-TL-E

配单专家企业名单
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  • CPH6901-TL-E
    CPH6901-TL-E

    CPH6901-TL-E

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • SANYO

  • SOT-153

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • CPH6901-TL-E
    CPH6901-TL-E

    CPH6901-TL-E

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 82490

  • SANYO

  • SOT163

  • 新年份

  • -
  • 一级代理全新原装现货特价!

  • CPH6901-TL-E
    CPH6901-TL-E

    CPH6901-TL-E

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • SANYO/三洋

  • SOT23-6

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • CPH6901-TL-E
    CPH6901-TL-E

    CPH6901-TL-E

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 1990

  • SANYO

  • SOT163

  • 假一赔十!

  • -
  • 绝对原装现货!!

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
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  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • Cut Tape
  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • JFET DUAL 30V 0.01A SOT346
CPH6901-TL-E 技术参数
  • CPH6636R-TL-W 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH6635-TL-H 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V,20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):400mA,1.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 欧姆 @ 80mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH6616-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.5A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):187pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6615-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A,1.8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):187pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6539-TL-H 功能描述:TRANS 2NPN 30V 1.5A 6CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 15mA,750mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH-E34/14/9-1S-12PD-Z CPH-E42/21/15-1S-10P CPH-E55/28/21-1S-22P-Z CPH-E56/24/19-1S-12PD-Z CP-HRMJU.FLJC-1A CPHS-EP13-1S-10P-Z CPHS-EP13-2S-10P-Z CPH-U15/11/6-1S-4P CPH-U15/11/6-2S-4P CPH-U20/16/7-1S-4P CPI0805E3R3R-10 CPI0805E4R7R-10 CPI0805F2R2R-10 CPI0805G1R5R-10 CPI0805G1R8R-10 CPI0805H1R0R-10 CPI0805H1R2R-10 CPI0805IR82R-10
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