CRZ0512PC

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CRZ0512PC
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
65000
TDK/东电化
DIP-5
2020+
-
★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

CRZ0512PC
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
10000
TDK
DIP4
15+
-
原装正品，假一罚十

CRZ0512PC
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
TDK
DIP-5
-
假一罚十，百分百原装正品

CRZ0512PC
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
5637
TDK
DIP5
97+
-
绝对公司原装现货

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制造商
TDK
功能描述
Conv DC-DC Single Step Up 4.5V to 5.5V 5-Pin DIP

CRZ0512PC 技术参数

CRY91(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 9.1V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRY82(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 8.2V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 4.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:1 CRY75(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 7.5V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 4.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:1 CRY68(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 6.8V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:1 CRY62(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±9.68% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ16(TE85L,Q,M) CRZ18(TE85L,Q) CRZ18(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ22(TE85L,Q) CRZ22(TE85L,Q,M) CRZ24(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q) CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ33(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F