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CS.BC41B143A06-IRK-E4

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CS.BC41B143A06-IRK-E4 技术参数

CS 60 US 功能描述:ELECTRIC WIRE STRIPPER, 32-10 AW 制造商:american electrical inc. 系列:- 零件状态:有效类型:气动式剥线机电缆类型:10~28 AWG 特性:可调带长标准包装:1 CRZ47(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:65 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 37.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ47(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 47V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:65 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 37.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ43(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 34.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ39(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 31.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CS-00510 CS-00516 CS0068-000 CS0078-000 CS0085-000 CS0091-000 CS0095-000 CS01.0121.150 CS01.0221.150 CS0103-000 CS0143-000 CS-018-114.285M CS-018-114.285MHZ CS02.0221.150 CS-023-114.285M CS-023E-114.285M CS-03 CS03.0421.150